<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
  <title>DSpace Collection:</title>
  <link rel="alternate" href="https://elib.gsu.by/handle123456789/93" />
  <subtitle />
  <id>https://elib.gsu.by/handle123456789/93</id>
  <updated>2026-04-13T02:42:45Z</updated>
  <dc:date>2026-04-13T02:42:45Z</dc:date>
  <entry>
    <title>Активная передающая бианизотропная метаповерхность с функцией управления фазой для B5G/6G приложений беспроводной связи</title>
    <link rel="alternate" href="https://elib.gsu.by/handle123456789/83438" />
    <author>
      <name>Фаняев, И.А.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Тимошенко, А.А.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Самофалов, А.Л.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Хахомов, С.А.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Семченко, И.В.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Цзихун Гу</name>
    </author>
    <author>
      <name>Даши Динг</name>
    </author>
    <author>
      <name>Fanyaev, I.A.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Timoshenko, A.A.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Samofalov, A.L.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Khakhomov, S.A.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Semchenko, I.V.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Jihong Gu</name>
    </author>
    <author>
      <name>Dazhi Ding</name>
    </author>
    <id>https://elib.gsu.by/handle123456789/83438</id>
    <updated>2025-12-15T12:33:49Z</updated>
    <published>2025-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Title: Активная передающая бианизотропная метаповерхность с функцией управления фазой для B5G/6G приложений беспроводной связи
Authors: Фаняев, И.А.; Тимошенко, А.А.; Самофалов, А.Л.; Хахомов, С.А.; Семченко, И.В.; Цзихун Гу; Даши Динг; Fanyaev, I.A.; Timoshenko, A.A.; Samofalov, A.L.; Khakhomov, S.A.; Semchenko, I.V.; Jihong Gu; Dazhi Ding
Abstract: Предложена конструкция активного микрорезонатора, предназначенного для реализации реконфигурируемой метаповерхности, применимой в системах беспроводной связи поколений B5G/6G. Разработанная структура&#xD;
обеспечивает управление фазой прошедшей электромагнитной волны и позволяет динамически изменять фазовый&#xD;
фронт. Проведено численное моделирование в Ка-диапазоне СВЧ волн, подтвердившее возможность широкодиапазонного&#xD;
управления фазой за счёт изменения электроёмкости варикапов. Полученные результаты демонстрируют&#xD;
потенциал использования разработанной метаповерхности в антеннах нового поколения беспроводной связи B5G/6G&#xD;
для адаптивного управления диаграммой направленности. = A design of an active microresonator intended for the implementation of a reconfigurable metasurface applicable to&#xD;
B5G/6G wireless communication systems is proposed. The developed structure enables phase control of the transmitted&#xD;
electromagnetic wave and allows dynamic modification of the transmitted wavefront. The numerical simulations carried out&#xD;
in the Ka-band of microwave waves have confirmed the capability of wide-range phase tuning through the variation of varicap&#xD;
capacitance. The obtained results demonstrate the potential of employing the proposed metasurface in a new generation&#xD;
of wireless communications B5G/6G antennas for adaptive beam steering.</summary>
    <dc:date>2025-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
  <entry>
    <title>Моделирование температурного поля в процессах двулучевого лазерного термораскалывания материалов электронной техники</title>
    <link rel="alternate" href="https://elib.gsu.by/handle123456789/83434" />
    <author>
      <name>Купо, А.Н.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Никитюк, Ю.В.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Емельянов, В.А.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Сердюков, А.Н.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Kupo, A.N.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Nikityuk, Yu.V.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Yemelyanov, V.A.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Serdyukov, A.N.</name>
    </author>
    <id>https://elib.gsu.by/handle123456789/83434</id>
    <updated>2025-12-15T12:13:21Z</updated>
    <published>2025-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Title: Моделирование температурного поля в процессах двулучевого лазерного термораскалывания материалов электронной техники
Authors: Купо, А.Н.; Никитюк, Ю.В.; Емельянов, В.А.; Сердюков, А.Н.; Kupo, A.N.; Nikityuk, Yu.V.; Yemelyanov, V.A.; Serdyukov, A.N.
Abstract: Рассчитаны температурные поля в процессах лазерного управляемого термораскалывания хрупких&#xD;
неметаллических материалов с использованием двух пучков лазерного излучения в присутствии хладагента.&#xD;
На основании данных о распределении температуры по поверхности и в объёме материалов проведена оценка верхнего&#xD;
предела термического микронапряжения. Эта информация необходима для обоснованного выбора режимов лазерной&#xD;
обработки указанных материалов, в частности, кварцевого и силикатного стёкол, в технологических процессах&#xD;
микроэлектроники. = The study presents calculations of temperature fields in controlled laser thermal cleaving of brittle non-metallic&#xD;
materials using two laser beams with a coolant. An estimation of the upper limit of thermal micro-stress was conducted based&#xD;
on the temperature distribution data across the surface and within the volume of the materials. This information is essential for&#xD;
the substantiated selection of laser processing parameters for the specified materials, particularly quartz and silicate glasses,&#xD;
in microelectronics manufacturing processes.</summary>
    <dc:date>2025-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
  <entry>
    <title>Магнитные свойства пленок Sr₂Fe₁₋ᵪMo₁₊ᵪO₆-δ, осажденных методом ионно-плазменного напыления</title>
    <link rel="alternate" href="https://elib.gsu.by/handle123456789/83433" />
    <author>
      <name>Киселев, Д.А.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Старухина, С.С.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Быков, А.С.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Петров, А.В.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Юденков, А.Г.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Семченко, А.В.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Каланда, Н.А.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Kiselev, D.A.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Starukhina, S.S.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Bykov, A.S.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Petrov, A.V.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Yudenkov, A.G.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Semchenko, A.V.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Kalanda, N.A.</name>
    </author>
    <id>https://elib.gsu.by/handle123456789/83433</id>
    <updated>2025-12-15T11:52:12Z</updated>
    <published>2025-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Title: Магнитные свойства пленок Sr₂Fe₁₋ᵪMo₁₊ᵪO₆-δ, осажденных методом ионно-плазменного напыления
Authors: Киселев, Д.А.; Старухина, С.С.; Быков, А.С.; Петров, А.В.; Юденков, А.Г.; Семченко, А.В.; Каланда, Н.А.; Kiselev, D.A.; Starukhina, S.S.; Bykov, A.S.; Petrov, A.V.; Yudenkov, A.G.; Semchenko, A.V.; Kalanda, N.A.
Abstract: Определена аномальная зависимость коэффициента Блоха (B) от магнитного поля в пленках двойного&#xD;
перовскита Sr₂FeMoO₆-δ, которая противоречит классической модели, предсказывающей уменьшение B. Установлено, что величина B монотонно возрастает с увеличением магнитного поля (в диапазоне 0,01–0,16 Тл). Показано, что данный эффект обусловлен не доминированием магнонного вклада, а конкуренцией механизмов размагничивания, связанных с дефектами структуры. Исследования демонстрируют, что внешнее магнитное поле изменяет баланс&#xD;
между магнонным и дефектным вкладами в термическое размагничивание. = The anomalous dependence of the Bloch coefficient (B) on the magnetic field in double perovskite Sr₂FeMoO₆-δ thin&#xD;
films was determined, which contradicts the classical model predicting the decrease of B. It has been found that the value of B&#xD;
increases monotonically with the increase of the magnetic field (in the range of 0.01–0.16 T). It was shown that this effect is not&#xD;
due to the dominance of the magnon contribution but is caused by the competition of demagnetization mechanisms associated&#xD;
with structural defects. The investigation results demonstrate that an external magnetic field alters the balance between magnon&#xD;
and defect contributions to thermal demagnetization.</summary>
    <dc:date>2025-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
  <entry>
    <title>Влияние режимов магнетронного распыления на свойства тонких пленок оксида ванадия</title>
    <link rel="alternate" href="https://elib.gsu.by/handle123456789/83431" />
    <author>
      <name>Занько, А.И.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Жамойть, А.Е.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Шидловский, А.Г.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Zanka, A.I.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Zhamoits, A.E.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Shydlouski, A.N.</name>
    </author>
    <id>https://elib.gsu.by/handle123456789/83431</id>
    <updated>2025-12-15T11:22:40Z</updated>
    <published>2025-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Title: Влияние режимов магнетронного распыления на свойства тонких пленок оксида ванадия
Authors: Занько, А.И.; Жамойть, А.Е.; Шидловский, А.Г.; Zanka, A.I.; Zhamoits, A.E.; Shydlouski, A.N.
Abstract: Исследован процесс магнетронного распыления ванадиевой мишени в среде аргона и кислорода. Получены&#xD;
гистерезисные зависимости изменения тока катода от содержания кислорода и мощности распыления. Температурный&#xD;
коэффициент сопротивления полученных тонких пленок оксида ванадия при их удельном сопротивлении до 0,1 Ом∙м&#xD;
достигает 2,6% / °С. Установлено, что наиболее подходящие пленки оксида ванадия для инфракрасных фотоприемных&#xD;
устройств имеют аморфную структуру с кристаллическими фазами. = The magnetron sputtering process of a vanadium target in an argon and oxygen atmosphere has been investigated.&#xD;
Hysteresis dependencies of the cathode current change on the oxygen content and sputtering power were obtained.&#xD;
The temperature coefficient of resistance of the obtained vanadium oxide thin films, with a resistivity up to 0,1 Ohm·m, reaches&#xD;
2,6% / °C. The most suitable vanadium oxide films for infrared photodetectors have an amorphous structure with crystalline&#xD;
phases.</summary>
    <dc:date>2025-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
</feed>

