Структурные свойства SBT-слоев, синтезированных золь-гель методом

Abstract

Предлагается использование золь-гель метода для синтеза SBT-пленок, которые применяются в качестве сегнетоэлектриков в устройствах с энергонезависимой памятью. Степень кристаллизации SBT-пленок увеличивается с увеличением температуры отжига, а также зависит от типа подложки, о чем свидетельствуют рентгеновские спектры пленок. The sol-gel method is appropriate for the synthesis of SBT-films for subsequent application in ferroelectric random access non-volatile memory. The degree of crystallization of SBT-films increases with the increasing of annealing temperature, and also depends on the type of substrate, as evidenced by X-ray spectra of the films.