| Title: | Влияние температуры интенсивности возбуждения на краевое излучение кристаллов β-SiC(AI,N) |
| Authors: | Нгуен Нгок Лонг Недзвецкий, Д.С. |
| Keywords: | влияние температуры интенсивность возбуждения |
| Issue Date: | 1973 |
| Publisher: | Наука |
| Citation: | Нгуен Нгок Лонг Влияние температуры интенсивности возбуждения на краевое излучение кристаллов β-SiC(AI,N) / Нгуен Нгок Лонг, Д.С. Недзвецкий // Оптика и спектроскопия / АН СССР. – Ленинград : Наука, 1973. – Т. 35, вып. 6. – С. 1111-1115. |
| URI: | http://elib.gsu.by/jspui/handle/123456789/31466 |
| Appears in Collections: | Оцифрованный фонд |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Нгуен_Нгок_Лонг_Влияние.pdf | 8.8 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.