Моделирование процесса управляемого лазерного термораскалывания сапфира

Abstract

Выполнено численное моделирование процесса управляемого лазерного термораскалывания кристаллического сапфира с использованием метода конечных элементов. Расчет полей термоупругих напряжений, формируемых в монокристаллической сапфировой пластине в результате последовательного двулучевого лазерного нагрева и воздействия хладагента, осуществлялся для среза в плоскости (0001) или С-плоскости с учетом анизотропии тепловых и упругих свойств сапфира. Моделирование выполнено для случая одновременного воздействия лазерного излучения с длиной волны равной 10,6 мкм и 5 мкм на пластины толщиной 0,2; 0,4 и 1 мм. Результаты моделирования можно использовать для оптимизации технологических режимов разделения пластин сапфира.