Исследование характеристик потока импульсов шумовых диодов, работающих в режиме микроплазменного пробоя

Abstract

Определены зависимости интенсивности потока выходных импульсов от напряжения обратного смещения шумовых диодов и силы тока, протекающей через их p-n-переход. Установлены основные процессы, влияющих на величину интенсивности потока выходных импульсов кремниевых шумовых диодов, работающих в режиме микроплазменного пробоя. Получено, что к таким процессам можно отнести ударную ионизацию, термогенерацию и туннелирование носителей электрического заряда.

The dependences of the intensity of the output pulse flux on the voltage of the reverse bias of the noise diodes and the current flowing through their p-njunction are determined. The main processes influencing the intensity of the output pulse flux of silicon noise diodes operating in themicroplasma breakdown mode are established. It is obtained that shock processes, thermal generation and tunneling of carriers of electric charge can be classified as such processes.