Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЮник, А.Д.-
dc.contributor.authorСоловьёв, Я.А.-
dc.date.accessioned2023-01-19T12:37:20Z-
dc.date.available2023-01-19T12:37:20Z-
dc.date.issued2020-
dc.identifier.citationЮник, А.Д. Способы формирования нормально-закрытых GaN/AlGaN транзисторов с высокой подвижностью электронов / А.Д. Юник ; науч. рук. Я.А. Соловьёв // Актуальные вопросы физики и техники [Электронный ресурс] : IX Республиканская научная конференция студентов, магистрантов и аспирантов (Гомель, 23 апреля 2020 г.) : материалы : в 2 ч. / М-во образования Республики Беларусь, Гомельский гос. ун-т им. Ф. Скорины ; редкол. : Д. Л. Коваленко (гл. ред.) [ и др.]. – Гомель : ГГУ им. Ф. Скорины, 2020. – Ч. 1. – С. 156-159.ru
dc.identifier.urihttp://elib.gsu.by/jspui/handle/123456789/52008-
dc.language.isoРусскийru
dc.publisherГомельский государственный университет имени Ф. Скориныru
dc.titleСпособы формирования нормально-закрытых GaN/AlGaN транзисторов с высокой подвижностью электроновru
dc.typeArticleru
dc.rootАктуальные вопросы физики и техники [Электронный ресурс] : IX Республиканская научная конференция студентов, магистрантов и аспирантовru
dc.placeOfPublicationГомельru
Appears in Collections:Статьи

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Юник_Способы.pdf197.2 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.