Вероятности безызлучательных межмультиплетных переходов в ионе гольмия в кристалле двойного флорида лития-иттрия и вынужденное излучение

Abstract

Исследована зависимость вероятности безызлучательных переходов от величины энергетического зазора между ближайшими мультиплетами иона Но³⁺ в кристалле LiYF₄, определены эффективности излучения с термов иона гольмия и значения поперечных сечений вынужденного излучения для линий геперации, соответствующих переходу ⁵S₂-⁵I₇. Приводятся некоторые характеристики вынужденного излучения кристаллов LiYF₄ - Но³⁺ для ряда длин волн в области спектра 0,75 - 3,9 мкм.