Распространение одномерных и двумерных световых пучков различных профилей в фоторефрактивном оптически активном кристалле

Abstract

Проведено сравнение закономерностей распространения одномерных и двумерных световых пучков в оптически активном фоторефрактивном кристалле Bi12SiO20 (BSO), помещенном во внешнее электрическое поле. Показано, что для получения квазисолитонного режима распространения одномерных и двумерных световых пучков с гауссовым и супергауссовым профилями необходимо использовать различное внешнее электрическое поле. Установлено, что оптическая активность оказывает существенное влияние на фокусировку пучка, что также проявляется в изменении значения напряженности внешнего электрического поля, необходимого для достижения квазисолитонного режима световыми пучками различного вида. The paper compares the propagation laws of one- and two-dimensional light beams in optically active photorefractive Bi12SiO20 (BSO) crystal in an external electric field. It is shown that for the achievement of quasi-soliton conditions of spreading of one- and two-dimensional optical beams with the Gaussian and super-Gaussian profiles a different external electric field has to be used. It is established that the optical activity influences the focusing of the beam, which is also observed in the change of value of the external electric field strength required for the achievement of the quasi-soliton conditions by different light beams.