Планирование эксперимента по выявлению изменений в программном обеспечении микроконтроллеров с flash-памятью при воздействии электростатического разряда

Abstract

Представлен новый подход к планированию эксперимента по технической диагностике микроконтроллеров с инсталлированным во встроенную flash-память программным обеспечением после воздействия электростатического разряда. Впервые предложен алгоритм, основанный на анализе целостности хранящегося во flash-памяти массива данных с применением специализированных хеш-функций. Показано, что предложенный алгоритм позволяет выявить потенциально ненадежные микроконтроллеры на стадии программирования. A new approach to the planning of the experiment for technical diagnostics microcontroller with installed in the built-in flash-memory software after effects of electrostatic discharge. First an algorithm was proposed based on the analysis of the integrity of the stored in flash-memory dataset using specialized hash functions. It is shown that the proposed algorithm can detect potentially unreliable microcontrollers programming phase.