Title: | Повышение энергоэффективности тонкопленочных солнечных элементов на основе соединения CuIn1-xGaxSe2 |
Other Titles: | Energy efficiency of thin film solar cell on the basis of the CuIn1-xGaxSe2 |
Authors: | Есман, А.К. Потачиц, В.А. Зыков, Г.Л. |
Keywords: | тонкопленочный солнечный элемент CuIn1-xGaxSe2 прозрачный проводящий слой буферный слой поглощающий слой концентрация галлия AMPS-1D SCAPS-1D Comsol Multiphysics |
Issue Date: | 2016 |
Citation: | Есман, А. К. Повышение энергоэффективности тонкопленочных солнечных элементов на основе соединения CuIn1-xGaxSe2 / А. К. Есман, В. А. Потачиц, Г. Л. Зыков // Проблемы физики, математики и техники. Сер.: Физика. - 2016. - № 1 (26). - С. 30-33. |
Abstract: | Рассмотрены вопросы влияния температуры тонкопленочных солнечных элементов на основе соединения CuIn1-xGaxSe2 на их характеристики при различных значениях толщины поглощающего слоя и концентрации галлия. Определены оптимальные значения толщины поглощающего слоя, проведено моделирование вольт-амперных характеристик для рассматриваемой конструкции солнечного элемента. Показано, что при толщине поглощающего слоя, равной 3 мкм, КПД солнечного элемента может достигать 22,65 % с коэффициентом заполнения FF = 82,31 %, напряжением холостого хода VOC = 0,81 В и током короткого замыкания JSC = 33,93 мА/см2. |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/2573 |
ISSN: | 2077-8708 |
Appears in Collections: | Проблемы физики, математики, техники. Физика |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Есман АК Потачиц ВА Зыков ГЛ 2016-1.pdf | 321.97 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.