Title: Повышение энергоэффективности тонкопленочных солнечных элементов на основе соединения CuIn1-xGaxSe2
Other Titles: Energy efficiency of thin film solar cell on the basis of the CuIn1-xGaxSe2
Authors: Есман, А.К.
Потачиц, В.А.
Зыков, Г.Л.
Keywords: тонкопленочный солнечный элемент CuIn1-xGaxSe2
прозрачный проводящий слой
буферный слой
поглощающий слой
концентрация галлия
AMPS-1D
SCAPS-1D
Comsol Multiphysics
Issue Date: 2016
Citation: Есман, А. К. Повышение энергоэффективности тонкопленочных солнечных элементов на основе соединения CuIn1-xGaxSe2 / А. К. Есман, В. А. Потачиц, Г. Л. Зыков // Проблемы физики, математики и техники. Сер.: Физика. - 2016. - № 1 (26). - С. 30-33.
Abstract: Рассмотрены вопросы влияния температуры тонкопленочных солнечных элементов на основе соединения CuIn1-xGaxSe2 на их характеристики при различных значениях толщины поглощающего слоя и концентрации галлия. Определены оптимальные значения толщины поглощающего слоя, проведено моделирование вольт-амперных характеристик для рассматриваемой конструкции солнечного элемента. Показано, что при толщине поглощающего слоя, равной 3 мкм, КПД солнечного элемента может достигать 22,65 % с коэффициентом заполнения FF = 82,31 %, напряжением холостого хода VOC = 0,81 В и током короткого замыкания JSC = 33,93 мА/см2.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/2573
ISSN: 2077-8708
Appears in Collections:Проблемы физики, математики, техники. Физика

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Есман АК Потачиц ВА Зыков ГЛ 2016-1.pdf321.97 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.