Влияние толщины на структурные свойства отоженных In₂S₃ тонких пленок, осажденных термическим испарением

Abstract

In₂S₃ тонкие пленки различной толщины осаждены на стеклянные подложки методом термического испарения. Толщины In₂S₃ пленок регулировались параметрами осаждения и были 1200 нм, 470 нм и 50 нм. Все полученные тонкие пленки отжигались при 4000⁰С в течение 60 мин. Структурные свойства и морфология исследовались методами рентгеновской дифракции, спектроскопия комбинационного рассеяния и атомно-силовой микроскопии. Результаты рентгенографии показали, что для пленок In₂S₃ толщиной 1200 нм и 470 нм характерны рефлексы тетрагональной структуры. Спектроскопия комбинационного рассеяния показала, что интенсивность пиков зависит от толщины пленок. Средняя шероховатость (Ra) и среднеквадратичная шероховатость (Rrms) увеличивается с толщиной, что связано с увеличением размера зерен в In₂S₃ пленках. In₂S₃ thin films of various thicknesses were deposited onto glass substrates by thermal evaporation technique. Thicknesses of In₂S₃ films were defined by controlling the deposition parameters and were 1200 nm, 470 nm and 50 nm. All prepared thin films were annealed at 4000⁰C for 60 min. The structural properties and morphology have been studied by X-ray diffraction, Raman spectroscopy and Atomic force microscopy. X-ray diffraction results of In₂S₃ thin films with thicknesses of 1200 nm 470 nm demonstrated peaks revealed in tetragonal structure. Raman spectroscopy shows that the intensity of peaks is affected by the film thickness. The average roughness (Ra) and the root mean square roughness (Rrms) increases with thickness. This is associated with the increase of grain size in the In₂S₃ films.