Влияние термообработки на электрофизические характеристики контактов Pt к гетероструктурам SiC/Si

Abstract

В работе представлены результаты исследования влияния режимов термообработки на электрофизические характеристики контактов Pt к гетероструктурам SiC/Si и Si/SiC/Si. Термообработку образцов проводили в инертной среде (сухой N2) при температуре в диапазоне от 350°С до 500°С в течение 10 минут. Установлено, что при температуре процесса термообработки 350°С на обоих типах структуры происходит формирование Pt2Si, вызывающее резкое снижение слоевого сопротивления до ~ 90 Ом/квадрат. При дальнейшем увеличении температуры процесса термообработки до 500°С в структуре Si/SiC/Si сопротивление снижается до 38 Ом/квадрат за счет формирования PtSi. Обратные токи утечки, высота барьера Шоттки сформированных контактов Pt2Si к гететростуктурам SiC/Si и Si/SiC/Si составили 2,54·10-8 и 4,50·10-8 А, 0,79 и 0,77 эВ соответственно. Предполагается, что термообработка при 500°С структуры Pt/SiC/Si увеличивает токи утечки контакта, которые связаны с образованием углеродных кластеров. = The paper presents the effect of heat treatment regimes on the electrical characteristics of Pt contacts to SiC/Si and Si/SiC/Si heterostructures. The heat treatment of the samples is carried out in an inert atmosphere (dry N2) at a temperature in the range from 350°C to 500°C for 10 minutes. It is shown by a scanning electron microscopy that heat treatment of both types of structures at 350°C leads to the formation of Pt2Si. At the same time, heat treatment of the Pt/SiC/Si and Pt/Si/SiC/Si structures at 500°C leads to the formation of Pt2Si and PtSi, respectively. The reverse leakage currents, the height of the Schottky barrier of the formed Pt2Si contacts to the SiC/Si and Si/SiC/Si heterostructures were 2,54 10-8 and 4,50 10-8 A, 0,79 and 0,77 eV, respectively. It is assumed that heat treatment at 500°C of the Pt/SiC/Si structure increases contact leakage current, which is associated with the formation of carbon clusters.