Оптические свойства GaAs, GaP, lnP и Si в диапазоне температур 300÷1000 К в ближней инфракрасной области спектра

Abstract

Изучены температурные зависимости показателей преломления n и коэффициентов поглощения α распространенных полупроводниковых материалов (GaAs, GaP, InP и Si). Экспериментальные результаты получены на длинах волн 0.6328, 1.15, 3.39 мкм в диапазоне температур 300-1000 К. Экспериментально установлена и объяснена существенная зависимость температурного поведения n и α, и ширины энергетического зазора между Г и Х долинами, температурных изменений электронного спектра, легирования и механизма рассеяния носителей тока.