Пьезооптические свойства полупроводниковых кристаллов со структурой алмаза и цинковой обманки

Abstract

Проведены расчеты дисперсионных зависимостей фотоупругих коэффициентов Cˡₓ(hw) в кристаллах Ge, Si, GaP, InP, GaAs, InAs, AlSb,GaSb, InSb. Результаты расчетов подтверждены данными экспериментов. Показано, что в коротковолновой области спектра дисперсионные зависимости Cˡₓ(hw) определяются прямыми межзонными переходами и существенно различны в материалах с "прямой" и "непрямой" структурой энергетических зон. Длинноволновые значения фотоупругих коэффициентов определяются преимущественно вкладами оптических переходов в области высоких энергий фотонов при hw ≫ Eᵍ. Вычислены коэффициенты акустооптического качества M₂ для характерных длин волн видимого и инфракрасного диапазонов.