Исследование приповерхностного нарушенного слоя в пластинах монокристаллического кремния после химико-механической полировки

Abstract

В процессе химико-механической полировки (ХМП) пластин монокристаллического кремния применяют суспензии на основе наноразмерного диоксида кремния. Качество поверхности полупроводниковых подложек характеризуется шероховатостью и глубиной структурно нарушенного слоя. Методом комбинационного рассеяния света исследуется нарушенный слой и влияние шероховатости поверхности на интенсивность спектральных линий. Показано, что интенсивность основной рамановской моды кремния сильно зависит от шероховатости поверхности.

In the process of chemical-mechanical polishing (CMP) of monocrystalline silicon wafers, suspensions based on nanosized silica dioxide are used. The quality of the surface of semiconductor substrates is characterized by roughness and depth of structural damaged layer. The damaged layer and the effect of surface roughness on the intensity of spectral lines are investigated by Raman spectroscopy. It is shown that the intensity of the main Raman mode of silicon strongly depends on the surface roughness.