Oбработка синтетических алмазных структур лазерным излучением с длиной волны 532 нм

Abstract

Выполнено численное моделирование процесса обработки кристаллов алмаза при воздействии лазерного излучения с длиной волны 532 нм. Расчет формы лунки и температурных полей, формируемых в кристаллах алмаза в результате лазерного нагрева, осуществлен с использованием трёх вариантов моделирования: I – трехмерный анализ при воздействии лазерного излучения вдоль оси симметрии второго порядка (L2), II – трехмерный анализ при воздействии лазерного излучения вдоль оси симметрии третьего порядка (L3), III – трехмерный анализ при воздействии лазерного излучения вдоль оси симметрии четвертого порядка (L4). Проведена экспериментальная проверка полученных результатов.

A numerical simulation of the processing of diamond crystals when exposed to laser radiation with a wavelength of 532 nm was performed. The calculation of the shape of the hole and temperature fields formed in diamond crystals as a result of laser heating was carried out using three modeling options: I – a three-dimensional analysis when exposed to laser radiation along a second-order symmetry axis (L2), II – a three-dimensional analysis when exposed laser radiation along the axis of symmetry of the third order (L3), III – three-dimensional analysis when exposed to laser radiation along the axis of symmetry of the fourth order (L4). An experimental verification of the obtained results was carried out.