Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorСаблин-Яворский, А.Д.-
dc.contributor.authorБеляев, Л.М.-
dc.contributor.authorФридкин, В.М.-
dc.date.accessioned2024-11-20T09:25:22Z-
dc.date.available2024-11-20T09:25:22Z-
dc.date.issued1970-
dc.identifier.citationСаблин-Яворский, А.Д. Сенсибилизированный фотолиз на полупроводниках как принцип длинноволновой фотографии / А.Д. Саблин-Яворский, Л.М. Беляев, В.М. Фридкин // Доклады Академии наук СССР.- Москва : Наука, 1970. - Т. 193, № 6. - С. 1283-1285.ru
dc.identifier.urihttps://elib.gsu.by/handle123456789/70736-
dc.language.isoruru
dc.publisherНаукаru
dc.titleСенсибилизированный фотолиз на полупроводниках как принцип длинноволновой фотографииru
dc.typeArticleru
dc.rootДоклады Академии наук СССРru
dc.placeOfPublicationМоскваru
dc.number6ru
dc.volume193ru
Appears in Collections:Оцифрованный фонд

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Саблин-Яворский_Сенсибилизированный.pdf634.97 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.