Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Саблин-Яворский, А.Д. | - |
dc.contributor.author | Беляев, Л.М. | - |
dc.contributor.author | Фридкин, В.М. | - |
dc.date.accessioned | 2024-11-20T09:25:22Z | - |
dc.date.available | 2024-11-20T09:25:22Z | - |
dc.date.issued | 1970 | - |
dc.identifier.citation | Саблин-Яворский, А.Д. Сенсибилизированный фотолиз на полупроводниках как принцип длинноволновой фотографии / А.Д. Саблин-Яворский, Л.М. Беляев, В.М. Фридкин // Доклады Академии наук СССР.- Москва : Наука, 1970. - Т. 193, № 6. - С. 1283-1285. | ru |
dc.identifier.uri | https://elib.gsu.by/handle123456789/70736 | - |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Наука | ru |
dc.title | Сенсибилизированный фотолиз на полупроводниках как принцип длинноволновой фотографии | ru |
dc.type | Article | ru |
dc.root | Доклады Академии наук СССР | ru |
dc.placeOfPublication | Москва | ru |
dc.number | 6 | ru |
dc.volume | 193 | ru |
Appears in Collections: | Оцифрованный фонд |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Саблин-Яворский_Сенсибилизированный.pdf | 634.97 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.