Характеристики золь-гель пленок на поверхности черного кремния

Abstract

Представлены результаты исследования структурных, вольт-амперных и вольтфарадных характеристик тонких золь-гель пленок ZnO, TiO₂ и SiO₂ на поверхности черного кремния (b-Si). Показано, что пленки ZnO и TiO₂ имеют стабильные структурные свойства и не ухудшают отражение b-Si в широком диапазоне солнечного излучения. Заметной фоточувствительностью обладают только образцы с пленкой TiO₂. Проанализированы функциональные возможности применения структур b-Si/оксидная пленка в полупроводниковых приборах различного назначения. В качестве пассивирующих и защитных покрытий в солнечных элементах на основе b-Si предпочтительно использовать золь-гель пленки ZnO и TiO₂.