Повышение эффективности формирования переходных отверстий в кремниевых подложках посредством комбинированного инфракрасного и лазерного нагрева

Abstract

Одним из перспективных технологических решений для реализации многокристальных модулей является создание трёхмерных модулей. Особенность этой технологии заключается в том, что компоненты собираются не только горизонтально, но и вертикально. Для создания трехмерных структур по технологии TSV необходимо формирования переходных отверстий в слоях кремниевых подложек. Применение комбинированного инфракрасного и лазерного нагрева для операции прошивки отверстий в кремневых пластинах позволяет снизить время процесса 1,4–2 раза при незначительном увеличении конусности, порядка 5 % при нагреве до 200 ℃. = One of the promising technological solutions for the implementation of multi-chip modules is the creation of three-dimensional modules. The peculiarity of this technology is that the components are assembled not only horizontally, but also vertically. To create three-dimensional structures using TSV technology, it is necessary to form transition holes in the layers of silicon substrates. The use of combined infrared and laser heating for the operation of stitching holes in silicon wafers reduces the process time by 1,4–2 times with a slight increase in taper, about 5 % when heated to 200 ℃.