Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Синявский, Э.П. | - |
| dc.date.accessioned | 2022-02-03T12:10:00Z | - |
| dc.date.available | 2022-02-03T12:10:00Z | - |
| dc.date.issued | 1974 | - |
| dc.identifier.citation | Синявский , Э.П. Поглощение света в собственных полупроводниках в присутствии мощного лазерного излучения / Э.П. Синявский // Оптика и спектроскопия / АН СССР. - Ленинград : Наука, 1974. - Т. XXXVII, вып. 3. - С. 495-503. | ru |
| dc.identifier.uri | http://elib.gsu.by/jspui/handle/123456789/32771 | - |
| dc.description.abstract | Проведен расчет коэффициента поглощения света Ǩ(Ω₀) в собственных полупроводниках с учетом колебаний кристаллической решетки в присутствии мощной электромагнитной волны. Полученное выражение для Ǩ(Ω₀) учитывает влияние лазерной подсветки на процессы рассеяния носителей в зоне на фононах, что приводит к зависимости эффективной массы носителей от интенсивности лазерного излучения. | ru |
| dc.language.iso | Русский | ru |
| dc.publisher | Наука | ru |
| dc.title | Поглощение света в собственных полупроводниках в присутствии мощного лазерного излучения | ru |
| dc.type | Article | ru |
| dc.identifier.udk | 621373 : 535 + 535.34 | - |
| dc.root | Оптика и спектроскопия | ru |
| dc.placeOfPublication | Ленинград | ru |
| dc.edition | 3 | ru |
| dc.volume | XXXVII | ru |
| Appears in Collections: | Оцифрованный фонд | |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Синявский_Поглощение.pdf | 11.91 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.