Поглощение света в собственных полупроводниках в присутствии мощного лазерного излучения

Abstract

Проведен расчет коэффициента поглощения света Ǩ(Ω₀) в собственных полупроводниках с учетом колебаний кристаллической решетки в присутствии мощной электромагнитной волны. Полученное выражение для Ǩ(Ω₀) учитывает влияние лазерной подсветки на процессы рассеяния носителей в зоне на фононах, что приводит к зависимости эффективной массы носителей от интенсивности лазерного излучения.