Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Хаджи, П.И. | - |
| dc.contributor.author | Москаленко, С.А. | - |
| dc.date.accessioned | 2022-02-03T12:12:30Z | - |
| dc.date.available | 2022-02-03T12:12:30Z | - |
| dc.date.issued | 1974 | - |
| dc.identifier.citation | Хаджи, П.И. Двухэкситонная излучательная рекомбинация в полупроводниках при больших уровнях возбуждения / П.И. Хаджи, С.А. Москаленко // Оптика и спектроскопия / АН СССР. - Ленинград : Наука, 1974. - Т. XXXVII, вып. 5. - С. 954-958. | ru |
| dc.identifier.uri | http://elib.gsu.by/jspui/handle/123456789/32772 | - |
| dc.description.abstract | Изучен новый механизм излучательной рекомбинации в полупроводниках при больших уровнях возбуждения, в результате которого два прямых экситона аннигилируют и образуется полоса излучения при энергии фотона, равной удвоенной энергии образования экситона. | ru |
| dc.language.iso | Русский | ru |
| dc.publisher | Наука | ru |
| dc.title | Двухэкситонная излучательная рекомбинация в полупроводниках при больших уровнях возбуждения | ru |
| dc.type | Article | ru |
| dc.identifier.udk | 535.37 : 537.311.33 | - |
| dc.root | Оптика и спектроскопия | ru |
| dc.placeOfPublication | Ленинград | ru |
| dc.edition | 5 | ru |
| dc.volume | XXXVII | ru |
| Располагается в коллекциях: | Оцифрованный фонд | |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Хаджи_Двухэкситонная.pdf | 7.12 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.