| Название: | Двухэкситонная излучательная рекомбинация в полупроводниках при больших уровнях возбуждения |
| Авторы: | Хаджи, П.И. Москаленко, С.А. |
| Дата публикации: | 1974 |
| Издательство: | Наука |
| Библиографическое описание: | Хаджи, П.И. Двухэкситонная излучательная рекомбинация в полупроводниках при больших уровнях возбуждения / П.И. Хаджи, С.А. Москаленко // Оптика и спектроскопия / АН СССР. - Ленинград : Наука, 1974. - Т. XXXVII, вып. 5. - С. 954-958. |
| Краткий осмотр (реферат): | Изучен новый механизм излучательной рекомбинации в полупроводниках при больших уровнях возбуждения, в результате которого два прямых экситона аннигилируют и образуется полоса излучения при энергии фотона, равной удвоенной энергии образования экситона. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://elib.gsu.by/jspui/handle/123456789/32772 |
| Располагается в коллекциях: | Оцифрованный фонд |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Хаджи_Двухэкситонная.pdf | 7.12 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.