Эллипсометрия переходных слоев полупроводник-диэлектрик

Abstract

Для тонких (d < 0,1λ) оксидных слоев на кремниевой подложке установлена связь поляризуемости слоя с его оптической толщиной. Показано, что структуру неоднородного поверхностного слоя при термообработке пластин кремния КДБ 12 можно интерпретировать комбинированной пятислойной моделью с одиннадцатью параметрами, которые учитывают поверхностный слой, прозрачный оксидный слой, первый промежуточный слой, эффективный переходный слой, второй промежуточный слой и подложку. The polarizability bound of the layer with its optical thickness is established for thin oxide surfaces on a silicon substrate. It is revealed that the structure of the inhomogeneous surface layer can be interpreted by a five-layer model with 11 parameters at the heat treatment of the silicon plates.