Название: Эллипсометрия переходных слоев полупроводник-диэлектрик
Другие названия: Ellipsometry of the transitive layers semiconductor- dielectric
Авторы: Стаськов, Н.И.
Ивашкевич, И.В.
Крекотень, Н.А.
Stas’kov, N.I.
Ivashkevich, I.V.
Krekoten, N.A.
Ключевые слова: эллипсометрия
оптическая модель
переходный слой
шероховатые и оптически неоднородные слои
поляризуемость
ellipsometry
optical model
transition layer
rough and optically inhomogeneou
polarizability
Дата публикации: 2013
Издательство: Гомельский государственный университет имени Ф. Скорины
Библиографическое описание: Стаськов, Н.И. Эллипсометрия переходных слоев полупроводник-диэлектрик / Н.И. Стаськов, И.В. Ивашкевич, Н.А. Крекотень // Проблемы физики, математики и техники. Сер.: Физика. - 2013. - № 2 (15). - С. 18-24.
Краткий осмотр (реферат): Для тонких (d < 0,1λ) оксидных слоев на кремниевой подложке установлена связь поляризуемости слоя с его оптической толщиной. Показано, что структуру неоднородного поверхностного слоя при термообработке пластин кремния КДБ 12 можно интерпретировать комбинированной пятислойной моделью с одиннадцатью параметрами, которые учитывают поверхностный слой, прозрачный оксидный слой, первый промежуточный слой, эффективный переходный слой, второй промежуточный слой и подложку. The polarizability bound of the layer with its optical thickness is established for thin oxide surfaces on a silicon substrate. It is revealed that the structure of the inhomogeneous surface layer can be interpreted by a five-layer model with 11 parameters at the heat treatment of the silicon plates.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://elib.gsu.by/jspui/handle/123456789/37139
Располагается в коллекциях:Проблемы физики, математики, техники. Физика

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Стаськов_Эллипсометрия.pdf420.16 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.