| Название: | Влияние сильного электрического поля на рекомбинационные и внутрицентровые процессы в щелочно-галоидных кристаллах |
| Авторы: | Дружинин, А.П. Несмелов, Н.С. |
| Дата публикации: | 1981 |
| Издательство: | Наука |
| Библиографическое описание: | Дружинин, А.П. Влияние сильного электрического поля на рекомбинационные и внутрицентровые процессы в щелочно-галоидных кристаллах / А.П. Дружинин, Н.С. Несмелов // Оптика и спектроскопия / АН СССР. - Ленинград : Наука, 1981. - Т. 51, вып. 2. - С. 301-306. |
| Краткий осмотр (реферат): | Проведено излучение волн яркости активаторной электролюминесценции (ЭЛ) ряда ЩГК и некоторых характеристик длительных стадий послесвечения в зависимости от напряженности (вплоть до 10⁶ В/см) постоянного электрического поля, прикладываемого к образцу после выключения возбуждающего ЭЛ импульсного напряжения. На основе совокупности экспериментальных данных сделан вывод, что при ЭЛ тонких слоев ЩГК в сверхсильных электрических полях возбуждение центров свечения осуществляется в основном прямым электронным ударом. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://elib.gsu.by/jspui/handle/123456789/53098 |
| Располагается в коллекциях: | Оцифрованный фонд |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Дружинин_Влияние.pdf | 10.76 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.