Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Дружинин, А.П. | - |
| dc.contributor.author | Несмелов, Н.С. | - |
| dc.date.accessioned | 2023-02-01T13:25:58Z | - |
| dc.date.available | 2023-02-01T13:25:58Z | - |
| dc.date.issued | 1981 | - |
| dc.identifier.citation | Дружинин, А.П. Влияние сильного электрического поля на рекомбинационные и внутрицентровые процессы в щелочно-галоидных кристаллах / А.П. Дружинин, Н.С. Несмелов // Оптика и спектроскопия / АН СССР. - Ленинград : Наука, 1981. - Т. 51, вып. 2. - С. 301-306. | ru |
| dc.identifier.uri | http://elib.gsu.by/jspui/handle/123456789/53098 | - |
| dc.description.abstract | Проведено излучение волн яркости активаторной электролюминесценции (ЭЛ) ряда ЩГК и некоторых характеристик длительных стадий послесвечения в зависимости от напряженности (вплоть до 10⁶ В/см) постоянного электрического поля, прикладываемого к образцу после выключения возбуждающего ЭЛ импульсного напряжения. На основе совокупности экспериментальных данных сделан вывод, что при ЭЛ тонких слоев ЩГК в сверхсильных электрических полях возбуждение центров свечения осуществляется в основном прямым электронным ударом. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Наука | ru |
| dc.title | Влияние сильного электрического поля на рекомбинационные и внутрицентровые процессы в щелочно-галоидных кристаллах | ru |
| dc.type | Article | ru |
| dc.identifier.udk | 535.376 : 548.0 | - |
| dc.placeOfPublication | Ленинград | ru |
| dc.edition | 2 | ru |
| dc.volume | 51 | ru |
| Располагается в коллекциях: | Оцифрованный фонд | |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Дружинин_Влияние.pdf | 10.76 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.