| Title: | Влияние сильного электрического поля на рекомбинационные и внутрицентровые процессы в щелочно-галоидных кристаллах |
| Authors: | Дружинин, А.П. Несмелов, Н.С. |
| Issue Date: | 1981 |
| Publisher: | Наука |
| Citation: | Дружинин, А.П. Влияние сильного электрического поля на рекомбинационные и внутрицентровые процессы в щелочно-галоидных кристаллах / А.П. Дружинин, Н.С. Несмелов // Оптика и спектроскопия / АН СССР. - Ленинград : Наука, 1981. - Т. 51, вып. 2. - С. 301-306. |
| Abstract: | Проведено излучение волн яркости активаторной электролюминесценции (ЭЛ) ряда ЩГК и некоторых характеристик длительных стадий послесвечения в зависимости от напряженности (вплоть до 10⁶ В/см) постоянного электрического поля, прикладываемого к образцу после выключения возбуждающего ЭЛ импульсного напряжения. На основе совокупности экспериментальных данных сделан вывод, что при ЭЛ тонких слоев ЩГК в сверхсильных электрических полях возбуждение центров свечения осуществляется в основном прямым электронным ударом. |
| URI: | http://elib.gsu.by/jspui/handle/123456789/53098 |
| Appears in Collections: | Оцифрованный фонд |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Дружинин_Влияние.pdf | 10.76 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.