Title: | Анизотропия излучения глубоких центров в GaN |
Authors: | Шагалов, М.Д. Дружук, А.Г. |
Issue Date: | 1983 |
Publisher: | Наука |
Citation: | Шагалов, М.Д. Анизотропия излучения глубоких центров в GaN / М.Д. Шагалов, А.Г. Дрижук // Оптика и спектроскопия / АН СССР. - Ленинград : Наука, 1983. - Т. 54, вып. 6. - С. 1025-1028. |
Abstract: | Проведено исследование поляризационных характеристик излучения, возникающего при электролюминисценции n-i-структур из GaN. Установлено, что дипольные социлляторы в нитриде галлия ориентированы в направлении <1000>. Выбранная система расположения оптических диполей подтверждается измерениями поляризационных диаграмм фотолюминесценции кристалла, включающего изотропные и анизотропные центры люминесценции. |
URI: | http://elib.gsu.by/jspui/handle/123456789/61309 |
Appears in Collections: | Оцифрованный фонд |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Шагалов_Анизотропия.pdf | 21.29 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.