| Название: | Анизотропия излучения глубоких центров в GaN |
| Авторы: | Шагалов, М.Д. Дружук, А.Г. |
| Дата публикации: | 1983 |
| Издательство: | Наука |
| Библиографическое описание: | Шагалов, М.Д. Анизотропия излучения глубоких центров в GaN / М.Д. Шагалов, А.Г. Дрижук // Оптика и спектроскопия / АН СССР. - Ленинград : Наука, 1983. - Т. 54, вып. 6. - С. 1025-1028. |
| Краткий осмотр (реферат): | Проведено исследование поляризационных характеристик излучения, возникающего при электролюминисценции n-i-структур из GaN. Установлено, что дипольные социлляторы в нитриде галлия ориентированы в направлении <1000>. Выбранная система расположения оптических диполей подтверждается измерениями поляризационных диаграмм фотолюминесценции кристалла, включающего изотропные и анизотропные центры люминесценции. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://elib.gsu.by/jspui/handle/123456789/61309 |
| Располагается в коллекциях: | Оцифрованный фонд |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Шагалов_Анизотропия.pdf | 21.29 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.