Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorГайшун, В.Е.-
dc.contributor.authorКосенок, Я.А.-
dc.contributor.authorВаськевич, В.В.-
dc.contributor.authorТюленкова, О.И.-
dc.contributor.authorАлешкевич, Н.А.-
dc.contributor.authorКовальчук, Н.С.-
dc.contributor.authorПетлицкий, А.Н.-
dc.contributor.authorGaishun, V.E.-
dc.contributor.authorKosenok, Y.A.-
dc.contributor.authorVaskevich, V.V.-
dc.contributor.authorTulenkova, O.I.-
dc.contributor.authorAleshkevich, N.A.-
dc.contributor.authorKovalchuk, N.S.-
dc.contributor.authorPetlitski, A.N.-
dc.date.accessioned2024-03-27T07:41:23Z-
dc.date.available2024-03-27T07:41:23Z-
dc.date.issued2023-
dc.identifier.citationЗоль-гель технология синтеза высокотемпературного соединения «кремний – диэлектрик – кремний» для применения в микроэлектронике / В.Е. Гайшун [и др.] // Вестник ГГТУ имени П.О. Сухого : научно - практический журнал. - 2023. - № 2. - С. 58-66.ru
dc.identifier.urihttps://elib.gsu.by/handle123456789/66272-
dc.description.abstractРазработана лабораторная технология формирования высокотемпературного соединения «кремний – диэлектрик – кремний» посредством слоя стеклообразующего материала, полученного золь-гель методом, для микромеханических датчиков, работоспособных в широком диапазоне температур, силовых и тепловых нагрузок. Исследована микроструктура промежуточных золь-гель слоев и неразъемных соединений. Определены толщина и температура кристаллизации стекломатериала. The article shows laboratory technology for the formation of a high-temperature silicon-dielectric-silicon compound by means of a layer of glass-forming material obtained by the sol-gel method for micromechanical sensors that are operable in a wide range of temperatures, power and thermal loads. The microstructure of intermediate sol-gel layers and permanent joints has been studied. The thickness and crystallization temperature of the glass material were determined.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherГомельский государственный технический университет имени П.О. Сухогоru
dc.subjectзоль-гель методru
dc.subjectвысокотемпературное соединениеru
dc.subjectкремнийru
dc.subjectмикроструктураru
dc.subjectсклейкаru
dc.subjectборосиликатная суспензияru
dc.subjectsol-gel methodru
dc.subjecthigh-temperature bondingru
dc.subjectsiliconru
dc.subjectgluingru
dc.subjectmicrostructureru
dc.subjectborosilicate suspensionru
dc.titleЗоль-гель технология синтеза высокотемпературного соединения «кремний – диэлектрик – кремний» для применения в микроэлектроникеru
dc.title.alternativeSol-gel high-temperature compound synthesis technology silicon – dielectric – silicon for use in microelectronicsru
dc.typeArticleru
dc.identifier.udk661.682:621.3.049.77-
dc.rootВестник ГГТУ имени П.О. Сухого : научно-практический журналru
dc.placeOfPublicationГомельru
dc.number2ru
Appears in Collections:Статьи

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Гайшун_Золь-гель.pdf2.43 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.