Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Семченко, А.В. | - |
| dc.contributor.author | Сидский, В.В. | - |
| dc.contributor.author | Гайшун, В.Е. | - |
| dc.contributor.author | Турцевич, А.С. | - |
| dc.contributor.author | Колос, В.В. | - |
| dc.contributor.author | Сорока, С.А. | - |
| dc.contributor.author | Асадчий, А.Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2025-09-09T06:56:37Z | - |
| dc.date.available | 2025-09-09T06:56:37Z | - |
| dc.date.issued | 2014 | - |
| dc.identifier.citation | Патент № 2511636 C2 Российская Федерация, МПК H01L 21/316, B05D 5/12, C23C 18/12. Золь-гель способ формирования сегнетоэлектрической стронций -висмут-тантал-оксидной пленки : № 2012121325/28 : заявл. 23.05.2012 : опубл. 10.04.2014 / А. В. Семченко, В. В. Сидский, В. Е. Гайшун [и др.] ; заявитель Учреждение образования "Гомельский государственный университет имени Франциска Скорины", ул. Советская, 104, Открытое акционерное общество "Интеграл". – EDN DUKZXD. | ru |
| dc.identifier.uri | https://elib.gsu.by/handle123456789/78568 | - |
| dc.description.abstract | Изобретение относится к технологии полупроводниковой микро- и наноэлектроники, а именно к золь-гель технологии получения сегнетоэлектрических тонких стронцийвисмут-тантал-оксидных пленок, далее SrBi2Ta2О9 пленок, на интегральных микросхемах, применяемых, в частности, в устройствах энергонезависимой памяти типа FRAM. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.title | Золь-гель способ формирования сегнетоэлектрической стронций -висмут-тантал-оксидной пленки | ru |
| Appears in Collections: | Патенты | |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Семченко_Золь-гель.pdf | 439.98 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.