| Название: | Золь-гель способ формирования сегнетоэлектрической стронций -висмут-тантал-оксидной пленки |
| Авторы: | Семченко, А.В. Сидский, В.В. Гайшун, В.Е. Турцевич, А.С. Колос, В.В. Сорока, С.А. Асадчий, А.Н. |
| Дата публикации: | 2014 |
| Библиографическое описание: | Патент № 2511636 C2 Российская Федерация, МПК H01L 21/316, B05D 5/12, C23C 18/12. Золь-гель способ формирования сегнетоэлектрической стронций -висмут-тантал-оксидной пленки : № 2012121325/28 : заявл. 23.05.2012 : опубл. 10.04.2014 / А. В. Семченко, В. В. Сидский, В. Е. Гайшун [и др.] ; заявитель Учреждение образования "Гомельский государственный университет имени Франциска Скорины", ул. Советская, 104, Открытое акционерное общество "Интеграл". – EDN DUKZXD. |
| Краткий осмотр (реферат): | Изобретение относится к технологии полупроводниковой микро- и наноэлектроники, а именно к золь-гель технологии получения сегнетоэлектрических тонких стронцийвисмут-тантал-оксидных пленок, далее SrBi2Ta2О9 пленок, на интегральных микросхемах, применяемых, в частности, в устройствах энергонезависимой памяти типа FRAM. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://elib.gsu.by/handle123456789/78568 |
| Располагается в коллекциях: | Патенты |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Семченко_Золь-гель.pdf | 439.98 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.