Title: Особенности формирования морфологии пленок MoSex, полученных двухэтапным методом
Authors: Станчик, А.В.
Гременок, В.Ф.
Григаль, П.А.
Труханов, А.В.
Бускис, К.П.
Дашкевич, Е.С.
Жигулин, Д.В.
Сяосу Жао
Keywords: пленки
MoSe2
дихалькогениды переходных металлов
морфология
магнетронное напыление
селенизация
films
MoSe2
transition metal dichalcogenides
morphology
magnetron sputtering
selenization
Issue Date: 2026
Publisher: Гомельский государственный университет имени Ф.Скорины
Citation: Особенности формирования морфологии пленок MoSex, полученных двухэтапным методом / А.В. Станчик, В.Ф. Гременок, П.А. Григаль [и др.] // Известия Гомельского государственного университета имени Ф. Скорины. Серия: Естественные науки. - 2026. - № 3 (156). - С. 103-109.
Abstract: В работе представлены результаты исследования пленок MoSeх, полученных с помощью двухэтапного метода синтеза, который включает магнетронное напыление слоя Мо и его последующую селенизацию. Выявлено влияние параметров селенизации и магнетронного напыления, в том числе толщины слоя Мо, на элементный состав и морфологию пленок MoSeх. Показано, что формирование пленок MoSeₓ зависит от температуры селенизации, а также определяется параметрами напыления Mo. = This paper presents the results of a study of MoSeх films obtained using a two-step synthesis method involving magnetron sputtering of a Mo layer and its subsequent selenization. The influence of selenization and magnetron sputtering parameters, including the Mo layer thickness, on the elemental composition and morphology of MoSeх films is revealed. It is shown that the nature of MoSeх film formation depends on the selenization temperature and is also determined by the Mo sputtering parameters.
URI: https://elib.gsu.by/handle/123456789/87502
Appears in Collections:Известия ГГУ им. Франциска Скорины. Естественные науки

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Станчик_Особенности.pdf1.28 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.