Название: Особенности формирования морфологии пленок MoSex, полученных двухэтапным методом
Авторы: Станчик, А.В.
Гременок, В.Ф.
Григаль, П.А.
Труханов, А.В.
Бускис, К.П.
Дашкевич, Е.С.
Жигулин, Д.В.
Сяосу Жао
Ключевые слова: пленки
MoSe2
дихалькогениды переходных металлов
морфология
магнетронное напыление
селенизация
films
MoSe2
transition metal dichalcogenides
morphology
magnetron sputtering
selenization
Дата публикации: 2026
Издательство: Гомельский государственный университет имени Ф.Скорины
Библиографическое описание: Особенности формирования морфологии пленок MoSex, полученных двухэтапным методом / А.В. Станчик, В.Ф. Гременок, П.А. Григаль [и др.] // Известия Гомельского государственного университета имени Ф. Скорины. Серия: Естественные науки. - 2026. - № 3 (156). - С. 103-109.
Краткий осмотр (реферат): В работе представлены результаты исследования пленок MoSeх, полученных с помощью двухэтапного метода синтеза, который включает магнетронное напыление слоя Мо и его последующую селенизацию. Выявлено влияние параметров селенизации и магнетронного напыления, в том числе толщины слоя Мо, на элементный состав и морфологию пленок MoSeх. Показано, что формирование пленок MoSeₓ зависит от температуры селенизации, а также определяется параметрами напыления Mo. = This paper presents the results of a study of MoSeх films obtained using a two-step synthesis method involving magnetron sputtering of a Mo layer and its subsequent selenization. The influence of selenization and magnetron sputtering parameters, including the Mo layer thickness, on the elemental composition and morphology of MoSeх films is revealed. It is shown that the nature of MoSeх film formation depends on the selenization temperature and is also determined by the Mo sputtering parameters.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://elib.gsu.by/handle/123456789/87502
Располагается в коллекциях:Известия ГГУ им. Франциска Скорины. Естественные науки

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Станчик_Особенности.pdf1.28 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.