Название: The non-volatile ferroelectric memory (FRAM) on the base of SrBi₂Ta₂O₉ sol-gel films
Авторы: Semchenko, A.V.
Gaishun, V.E.
Sidsky, V.V.
Demidenko, O.M.
Soroka, S.A.
Семченко, А.В.
Гайшун, В.Е.
Сидский, В.В.
Демиденко, О.М.
Сорока, С.А.
Дата публикации: 2010
Издательство: RTU Publishing House
Библиографическое описание: The non-volatile ferroelectric memory (FRAM) on the base of SrBi₂Ta₂O₉ sol-gel films / A.V. Semchenko [et al.] // The 9th International Conference on Global Research and Education, august 9-12, Riga, Latvia. - Riga : RTU Publishing House, 2010. - P. [1].
Краткий осмотр (реферат): The possibility of the development of the non-volatile ferroelectric memory (FRAM) on the base of SrBi₂Ta₂O₉ (SBT) films synthesized by sol-gel method is discussed. The technology of samples preparation by sol-gel method is described. The AFM images, X-ray and IR spectra of SrBi₂Ta₂O₉ (SBT) films synthesized by sol-gel method are investigated.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://elib.gsu.by/jspui/handle/123456789/16441
Располагается в коллекциях:Статьи

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Semchenko_The_non.pdf3.31 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.