Формирование пленок нитрида титана методом реактивного магнетронного распыления при пониженном давлении

Abstract

Проведены исследования процесса реактивного магнетронного распыления титана в среде Ar/N2 рабочих газов при пониженном давлении. Установлено, что при высоковакуумном режиме работы магнетронной распылительной системы и высоких скоростях откачки в режиме стабилизации мощности разряда магнетрона напряжение разряда практически однозначно зависит от содержания реактивного газа в камере, т. е. отсутствует гистерезис характеристик, свойственный процессам реактивного распыления. При этом возможно воспроизводимое нанесение слоев нитрида титана c удельным сопротивлением менее 70 мкОм×см и твердостью свыше 28 ГПа.