| Название: | Влияние температуры интенсивности возбуждения на краевое излучение кристаллов β-SiC(AI,N) |
| Авторы: | Нгуен Нгок Лонг Недзвецкий, Д.С. |
| Ключевые слова: | влияние температуры интенсивность возбуждения |
| Дата публикации: | 1973 |
| Издательство: | Наука |
| Библиографическое описание: | Нгуен Нгок Лонг Влияние температуры интенсивности возбуждения на краевое излучение кристаллов β-SiC(AI,N) / Нгуен Нгок Лонг, Д.С. Недзвецкий // Оптика и спектроскопия / АН СССР. – Ленинград : Наука, 1973. – Т. 35, вып. 6. – С. 1111-1115. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://elib.gsu.by/jspui/handle/123456789/31466 |
| Располагается в коллекциях: | Оцифрованный фонд |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Нгуен_Нгок_Лонг_Влияние.pdf | 8.8 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.