Получение гетероструктур SIO2/ZnO/Si золь-гель методом

Abstract

В работе рассматривается анализ вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик структур SiO2/ZnO/Si, полученных золь-гель методом с использованием различных исходных веществ, таких как нитрат цинка, хлорид цинка и ацетат цинка. Рассчитана плотность дефектов на границе раздела ZnO/Si с использованием Мотт–Шоттки зависимостей С2(U). Определен основной механизм проводимости – токи, ограниченные пространственным зарядом. Показано, что пленки, полученные с использованием ацетата цинка, обладают фоточувствительностью.