Название: | Получение гетероструктур SIO2/ZnO/Si золь-гель методом |
Другие названия: | Synthesis of heterostructures SIO2/ZnO/Si by sol-gel method |
Авторы: | Малютина-Бронская, В.В. Поликанин, А.М. Залесский, В.Б. Семченко, А.В. Гайшун, В.Е. |
Ключевые слова: | золь-гель ZnO вольт-фарадные характеристики вольт-амперные характеристики |
Дата публикации: | 2011 |
Библиографическое описание: | Получение гетероструктур SIO2/ZnO/Si золь-гель методом / В.В. Малютина-Бронская [и др.] // Проблемы физики, математики и техники. Сер.: Физика. - 2011. - № 3(8). - С. 24-27. |
Краткий осмотр (реферат): | В работе рассматривается анализ вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик структур SiO2/ZnO/Si, полученных золь-гель методом с использованием различных исходных веществ, таких как нитрат цинка, хлорид цинка и ацетат цинка. Рассчитана плотность дефектов на границе раздела ZnO/Si с использованием Мотт–Шоттки зависимостей С2(U). Определен основной механизм проводимости – токи, ограниченные пространственным зарядом. Показано, что пленки, полученные с использованием ацетата цинка, обладают фоточувствительностью. |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://hdl.handle.net/123456789/3229 |
ISSN: | 2077-8708 |
Располагается в коллекциях: | Проблемы физики, математики, техники. Физика |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Малютина-Бронская ВВ Поликанин АМ Залесский ВБ Семченко АВ Сидский ВВ Гайшун ВЕ 2011-3.pdf | 906.51 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.