Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorГавалешко, Н.П.-
dc.contributor.authorДелевский, Г.Б.-
dc.contributor.authorКовалюк, З.Д.-
dc.contributor.authorКурик, М.В.-
dc.contributor.authorСавчук, А.И.-
dc.date.accessioned2022-01-28T07:03:48Z-
dc.date.available2022-01-28T07:03:48Z-
dc.date.issued1975-
dc.identifier.citationФорма электронных полос в глубине основного поглощения InSe и GaSe / Н.П. Гавалешко [и др.] // Оптика и спектроскопия / АН СССР. – Ленинград : Наука, 1975. – Т. 38, вып. 4. – С. 722-726.ru
dc.identifier.urihttp://elib.gsu.by/jspui/handle/123456789/32560-
dc.description.abstractПроведены измерения формы полосы, ее полуширины и положения как функции температуры в глубине основного поглощения для соединений InSe и GaSe. Полученные зависимости сравниваются с аналогичными данными для экситонов на краю поглощения. На основе сравнения сделан вывод, что наблюдаемая структура спектра связана с возбуждением экситонов в этой области спектра.ru
dc.language.isoРусскийru
dc.publisherНаукаru
dc.titleФорма электронных полос в глубине основного поглощения InSe и GaSeru
dc.typeArticleru
dc.identifier.udk535.34 : 548.0-
dc.placeOfPublicationЛенинградru
dc.edition4ru
dc.volume38ru
Appears in Collections:Оцифрованный фонд

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Гавалешко_Форма.pdf6.73 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.