| Название: | Форма электронных полос в глубине основного поглощения InSe и GaSe |
| Авторы: | Гавалешко, Н.П. Делевский, Г.Б. Ковалюк, З.Д. Курик, М.В. Савчук, А.И. |
| Дата публикации: | 1975 |
| Издательство: | Наука |
| Библиографическое описание: | Форма электронных полос в глубине основного поглощения InSe и GaSe / Н.П. Гавалешко [и др.] // Оптика и спектроскопия / АН СССР. – Ленинград : Наука, 1975. – Т. 38, вып. 4. – С. 722-726. |
| Краткий осмотр (реферат): | Проведены измерения формы полосы, ее полуширины и положения как функции температуры в глубине основного поглощения для соединений InSe и GaSe. Полученные зависимости сравниваются с аналогичными данными для экситонов на краю поглощения. На основе сравнения сделан вывод, что наблюдаемая структура спектра связана с возбуждением экситонов в этой области спектра. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://elib.gsu.by/jspui/handle/123456789/32560 |
| Располагается в коллекциях: | Оцифрованный фонд |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Гавалешко_Форма.pdf | 6.73 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.