Название: Sol-Gel Synthesis of Functional Nanostructured Materials for Electronic Devices
Авторы: Rogachev, A.V.
Luca, D.
Gaishun, V.E.
Semchenko, A.V.
Sidsky, V.V.
Tyulenkova, O.
Kovalenko, D.L.
Ключевые слова: sol-gel method
ferromagnetics
semiconductors
non-volatile memory devices
perovskite structure
SBTN films
ZnO films
FexCoyOz films
Дата публикации: 2015
Библиографическое описание: Sol-Gel Synthesis of Functional Nanostructured Materials for Electronic Devices / A.V. Rogachev, D. Luca, V.E. Gaishun [et al.] // Advanced Materials Research. - 2015. - Vol. 1117. - P. 164-167.
Краткий осмотр (реферат): The possibility of functional nanostructured materials for electronic devices synthesis by sol-gel method have been discussed such as ferroelectrics (SrBi2(TaxNb1-x)2O9) , ferromagnetics (FexCoyOz) and semiconductors (ZnO). The structural features of the surface (AFM), crystallization behavior (XRD) during the heating and properties of synthesized films are discussed. Achieved parameters suggest the possibility of using synthesized SBTN sol-gel films in non-volatile memory devices, semiconductors active ZnO layers in solar sells, ferromagnetics FexCoyOz films in microwave absorber covers.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://elib.gsu.by/jspui/handle/123456789/33281
Располагается в коллекциях:Статьи

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
978-0-00003-108-2_3002.pdf621.58 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.