Зависимость показателя преломления в CaSe и CaS от интенсивности освещения

Abstract

В полупроводниках при изменении интенсивности освещения вследствие перераспределения электронов по состояниям изменяются оптические свойства. Были найдены области аномальной дисперсии в CaSe и CaS при комнатной температуре, обусловленные экситонами, а также были выявлены некоторые области аномальной дисперсии, которые, возможно, связаны с примесями, сложным характером зон, наличием экситонов разных сортов или поляритонными состояниями. Ход дисперсионной кривой зависит от интенсивности падающего на образец света.