Название: | Водные композиции на основе наноразмерных частиц диоксида кремния для химико-механической полировки пластин монокристаллического кремния |
Другие названия: | Aqueous compositions based on nanosized silica particles for chemical-mechanical polishingI of silicon wafers |
Авторы: | Косенок, Я.А. Гайшун, В.Е. Тюленкова, О.И. Денисман, В.Г. Kosenok, Ya.А. Gaishun, V.E. Tyulenkova, O.I. Denisman, V.G. |
Ключевые слова: | химико-механическое полирование пирогенный диоксид кремния наноразмерные частицы поверхность шероховатость chemical-mechanical polishing fumed silica nanosized particles surface roughness |
Дата публикации: | 2014 |
Издательство: | Гомельский государственный университет имени Ф. Скорины |
Библиографическое описание: | Водные композиции на основе наноразмерных частиц диоксида кремния для химико-механической полировки пластин монокристаллического кремния / Я.А. Косенок [и др.] // Проблемы физики, математики и техники. Сер.: Физика. - 2014. - № 3 (20). - С. 26-31. |
Краткий осмотр (реферат): | Описывается методика приготовления суспензий на основе наноразмерных частиц пирогенного диоксида кремния. Исследуется процесс и приводятся результаты химико-механической полировки пластин монокристаллического кремния, проведенные в производственных условиях. Даются рекомендации по использованию полирующих композиций в процессе химико-механической полировки. При использовании полирующих суспензий СПС-81М и СПС-55М в процессе ХМП пластин монокристаллического кремния достигается высокое структурное совершенство и атомарная гладкость поверхности с шероховатостью на уровне десятых долей нанометра. The method of preparation of suspensions based on nano-sized particles of fumed silica is described. The process and results of chemical-mechanical polishing of silicon wafers carried out in industrial environments are investigated. Recommendations on the use of polishing compositions in the chemical-mechanical polishing are making. When using the polishing suspensions SPS-81M and SPS-55M in the process of single-crystal silicon wafer CMP, high structural perfection and atomic smoothness of the surface roughness are achieved at the level of tenths of a nanometer. |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://elib.gsu.by/jspui/handle/123456789/40305 |
Располагается в коллекциях: | Проблемы физики, математики, техники. Физика |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Косенок_2014-3.pdf | 1.07 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.