Сегнетоэлектрические свойства пленок танталата стронция-висмута, нанесенных методом ВЧ магнетроного распыления

Abstract

Исследованы характеристики сегнетоэлектрических тонких пленок танталата стронция-висмута (SBT), нанесенных методом ВЧ магнетронного распыления на Pt/TiOx/SiO2/Si подложки. Установлены зависимости диэлектрической проницаемости, остаточной поляризации и коэрцитивной силы пленок SBTот режимов последующего отжига. При температуре отжига 800° C получены пленки с остаточной поляризацией 2Pr= 3,02 мкКл/см 2, коэрцитивной силой 2Ec= 140 кВ/см. Диэлектрическая проницаемость и тангенс угла диэлектрических потерь на частоте 1,0 МГц составляли соответственно ε= 125 и tgδ= 0,067. Температура Кюри пленок достигала 310–315° С.

Characteristics of ferroelectric thin films of strontium-bismuth tantalate (SBT), which were deposited by means of HF magnetron sputtering on Pt/TiO2/SiO2/Si substrates, are investigated. The dependences of permittivity, residual polarization, and coercitivity of SBT films on the modes of subsequent annealing are established. Films with the residual polarization of 2Pr = 3.02 μC/cm 2 and coercitivity of 2Ec = 140 kV/cm are obtained at the annealing temperature of 800°C. The dielectric constant and loss tangent at the frequency of 1.0 MHz were accordingly equalto ε = 125 and tgδ= 0.067. The Curie temperature of the films reached 310–315° C.