Название: Сегнетоэлектрические свойства пленок танталата стронция-висмута, нанесенных методом ВЧ магнетроного распыления
Другие названия: Ferroelectric properties of strontium-bismuth tantalate thin film deposited by HF magnetron sputtering method
Авторы: Окоджи, Д.Э.
Голосов, Д.А.
Мельников, С.Н.
Завадский, С.М.
Колос, В.В.
Поплевка, Е.А.
Жукович, Ю.А.
Okojie, J.E.
Golosov, D.A.
Melnikov, S.N.
Zavadski, S.M.
Kolos, V.V.
Poplevka, E.A.
Zhukovich, Yu.A.
Ключевые слова: энергонезависимая память
FeRAM
сегнетоэлектрики
танталат стронция-висмута
SBT
ВЧ магнетронное распыление
non-volatile memory
FeRAM
ferroelectric
strontium-bismuth tantalate
SBT
HF magnetron sputtering
Дата публикации: 2018
Библиографическое описание: Сегнетоэлектрические свойства пленок танталата стронция-висмута, нанесенных методом ВЧ магнетроного распыления = Ferroelectric properties of strontium-bismuth tantalate thin film deposited by HF magnetron sputtering method / Д.Э. Окоджи и [др.] // Проблемы физики, математики и техники. Сер.: Физика. - 2018. - № 1 (34). - С. 33-37.
Краткий осмотр (реферат): Исследованы характеристики сегнетоэлектрических тонких пленок танталата стронция-висмута (SBT), нанесенных методом ВЧ магнетронного распыления на Pt/TiOx/SiO2/Si подложки. Установлены зависимости диэлектрической проницаемости, остаточной поляризации и коэрцитивной силы пленок SBTот режимов последующего отжига. При температуре отжига 800° C получены пленки с остаточной поляризацией 2Pr= 3,02 мкКл/см 2, коэрцитивной силой 2Ec= 140 кВ/см. Диэлектрическая проницаемость и тангенс угла диэлектрических потерь на частоте 1,0 МГц составляли соответственно ε= 125 и tgδ= 0,067. Температура Кюри пленок достигала 310–315° С.
Characteristics of ferroelectric thin films of strontium-bismuth tantalate (SBT), which were deposited by means of HF magnetron sputtering on Pt/TiO2/SiO2/Si substrates, are investigated. The dependences of permittivity, residual polarization, and coercitivity of SBT films on the modes of subsequent annealing are established. Films with the residual polarization of 2Pr = 3.02 μC/cm 2 and coercitivity of 2Ec = 140 kV/cm are obtained at the annealing temperature of 800°C. The dielectric constant and loss tangent at the frequency of 1.0 MHz were accordingly equalto ε = 125 and tgδ= 0.067. The Curie temperature of the films reached 310–315° C.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://hdl.handle.net/123456789/4246
ISSN: 2077-8708
Располагается в коллекциях:Проблемы физики, математики, техники. Физика

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Окоджи ДЭ Голосов ДА Мельников СН и др 2018-1.pdf1.25 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.