Особенности реактивного магнетронного нанесения пленок оксида тантала при различных способах подачи газа в камеру

Abstract

Проведены исследования процессов реактивного магнетронного распыления Ta мишени в Ar / O2 смеси газов. Установлены зависимости напряжения разряда, скорости нанесения и электрофизических характеристик пленок оксида тантала от способа газоподачи и концентрации кислорода в Ar / O2 смеси газов. Установлено, что металлический, переходной и реактивный режим работы системы распыления определяются изменением скорости нанесения пленок. Независимо от способа подачи рабочих газов в камеру, начальное формирование диэлектрических пленок оксида тантала с низким оптическим поглощением наблюдается в переходном режиме работы системы. = The processes of reactive magnetron sputtering of a Ta target in an Ar / O2 gas mixture have been studied. The dependences of the discharge voltage, deposition rate, electrical and physical characteristics of tantalum oxide films on the method of gases supply and oxygen concentration in the Ar / O2 gas mixture are established. It has been established that the metallic, transition and reactive modes of the sputtering system operation are determined by the change in the rate of film deposition. Regardless of the method of the working gases supply, the initial formation of dielectric tantalum oxide films with low optical absorption is observed in the transition mode of the system operation.