Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Чернышей, А.Г. | - |
| dc.contributor.author | Ацецкая, Е.С. | - |
| dc.date.accessioned | 2022-12-20T11:36:16Z | - |
| dc.date.available | 2022-12-20T11:36:16Z | - |
| dc.date.issued | 2017 | - |
| dc.identifier.citation | Чернышей, А.Г. Исследование влияния режимов получения двухслойной эпитаксиальной структуры На повышение качества мощного биполярного транзистора / А.Г. Чернышей ; науч. рук. Е.С. Ацецкая // Актуальные вопросы физики и техники [Электронный ресурс] : VI Республиканская научная конференция студентов и аспирантов (Гомель, 26 апреля 2017 г.) : материалы : в 3 ч. – Электрон. дан.(4.90 МБ). – Гомель: ГГУ им. Ф. Скорины, 2017. – Ч. 1. – С. 155-158. | ru |
| dc.identifier.uri | http://elib.gsu.by/jspui/handle/123456789/49963 | - |
| dc.language.iso | Русский | ru |
| dc.publisher | Гомельский государственный университет имени Ф. Скорины | ru |
| dc.title | Исследование влияния режимов получения двухслойной эпитаксиальной структуры На повышение качества мощного биполярного транзистора | ru |
| dc.type | Article | ru |
| dc.root | Актуальные вопросы физики и техники [Электронный ресурс] : VI Республиканская научная конференция студентов и аспирантов | ru |
| dc.placeOfPublication | Гомель | ru |
| Appears in Collections: | Статьи | |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Чернышей_Исследование.pdf | 280.78 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.