| Название: | Исследование влияния режимов получения двухслойной эпитаксиальной структуры На повышение качества мощного биполярного транзистора |
| Авторы: | Чернышей, А.Г. Ацецкая, Е.С. |
| Дата публикации: | 2017 |
| Издательство: | Гомельский государственный университет имени Ф. Скорины |
| Библиографическое описание: | Чернышей, А.Г. Исследование влияния режимов получения двухслойной эпитаксиальной структуры На повышение качества мощного биполярного транзистора / А.Г. Чернышей ; науч. рук. Е.С. Ацецкая // Актуальные вопросы физики и техники [Электронный ресурс] : VI Республиканская научная конференция студентов и аспирантов (Гомель, 26 апреля 2017 г.) : материалы : в 3 ч. – Электрон. дан.(4.90 МБ). – Гомель: ГГУ им. Ф. Скорины, 2017. – Ч. 1. – С. 155-158. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://elib.gsu.by/jspui/handle/123456789/49963 |
| Располагается в коллекциях: | Статьи |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Чернышей_Исследование.pdf | 280.78 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.